| 发明名称 | 晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管，其具有形成于基板(300)上的基底层(301)、和形成于基底层(301)上的由氮化物半导体构成的工作层(302)。基底层(301)是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体。基底层(301)具有含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的含过渡金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN102822951B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201080065666.5 | 申请日期 | 2010.08.26 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 泷泽俊幸;上田哲三 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种晶体管，其具有：基板、形成于所述基板上的基底层、和形成于所述基底层上的由氮化物半导体构成的工作层，所述基底层是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体，且具有含有作为过渡金属的钌的含过渡金属层，所述基底层具有超晶格层，所述超晶格层是所述含过渡金属层，所述超晶格层包含AlN层和GaN层，所述超晶格层是所述层叠体中的极化最强的层。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||