| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置。该半导体装置中设有：具备沿基板（1）的厚度方向层叠的电子渡越层（5）以及电子供给层（6）的晶体管；在基板（1）的上方与电子渡越层（5）以及电子供给层（6）平行地形成的电子渡越层（3）；与电子渡越层（3）肖特基接合的阳极电极（12a）；以及与电子渡越层（3）欧姆接合的阴极电极（13d）。阳极电极（12a）与晶体管的源极连接，阴极电极（13d）与晶体管的漏极连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103109369B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201080067573.6 | 申请日期 | 2010.06.24 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今田忠纮 |
| 分类号 | H01L27/095(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/095(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 舒艳君;李洋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：基板；晶体管，其具备沿所述基板的厚度方向层叠的第一电子渡越层以及电子供给层；第二电子渡越层，其在所述基板的上方与所述第一电子渡越层以及所述电子供给层平行地形成；阳极电极，其与所述第二电子渡越层肖特基接合；以及阴极电极，其与所述第二电子渡越层欧姆接合，其中，所述阳极电极与所述晶体管的源极连接，所述阴极电极与所述晶体管的漏极连接，所述阴极电极兼做所述晶体管的漏极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||