发明名称 一种光电集成封装结构的电性能优化设计方法
摘要 本发明公开了一种光电集成封装结构的电性能优化设计方法,其特点是该方法在进行光电器件和读出IC模块封装电性能设计时,将HFSS软件应用于封装结构的电性能模拟,通过与EWB或POWERPCB软件协同仿真,进行输入端口信号焊盘串扰和干扰进行仿真,从而优化封装结构电特性。本发与现有技术相比具有精度高、使用方便,省略了人工运算步骤,通过设计仿真可以较好的解决了信号端口和通道的串扰,减少封装结构的杂散电感、电容和电阻及其产生的噪声,提高封装结构的电性能,有效避免失效,降低成本。
申请公布号 CN103106310B 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201310052926.0 申请日期 2013.02.19
申请人 华东师范大学 发明人 葛羽屏;郭方敏;郑正奇
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人 徐筱梅;张翔
主权项 一种光电集成封装结构的电性能优化设计方法,其特征在于该方法在进行光电器件和读出IC模块封装电性能设计时,将HFSS软件应用于封装结构的电性能模拟,通过与EWB或POWERPCB软件协同仿真,进行输入端口信号焊盘串扰和干扰的仿真,从而优化封装结构电特性,具体优化设计步骤如下:(1)建立封装结构的三维几何模型用HFSS软件库建立封装结构的三维几何模型,并标注焊盘直径为100 um、焊盘间距为40um、衬底厚度为300um、缝隙宽度为12um和信号线宽为 100um的结构参数;(2)建立RC等效电路将上述三维几何模型参数输入HFSS仿真软件,然后采用HFSS的有限元程序,结合封装的几何结构参数捕获该等效电路的电阻R和电容C,将电阻R和电容C与交流信号源S<sub>1</sub>组成串联电路,并将示波器S<sub>2</sub>并联到电容C两端,由此建立该封装模型的RC等效电路;(3)三维几何模型的仿真运算采用HFSS仿真软件对上述建立的三维几何模型进行0~3GHZ频段的扫频仿真,得到所述频段下的噪声值和串扰值;(4)RC等效电路的仿真运算采用EWB或POWERPCB电路仿真软件对上述建立的RC等效电路进行仿真运算,得到瞬态性能、瞬态噪声功率、电流灵敏度、电流相位灵敏度、电压灵敏度和电压相位灵敏度;(5)优化设计分析上述仿真运算的结果,然后调整封装结构参数,在保持其他结构参数不变的情况下,分别进行焊盘直径为50um、焊盘间距80um,焊盘直径为50um、焊盘间距40um和焊盘直径为100um、焊盘间距80um三次优化设计,重复上述(1)~(4)步骤进行对比验证和总结分析,并将仿真结果记录在仿真结果汇总表进行分析,进行3次循环的优化设计,直至封装结构的电学性能指标达到最佳。
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