发明名称 透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置
摘要 本发明是透明导电性膜等,所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜,上述阻气层由至少包含氧O原子、碳C原子和硅Si原子的材料构成,并具有下述区域(A),所述区域(A)从表面向着深度方向,层中的氧O原子的存在比例逐渐减少,碳C原子的存在比例逐渐增加,上述区域(A)包含相对于氧O原子、碳C原子和硅Si原子的总存在量,氧O原子的存在比例为20~55%、碳C原子的存在比例为25~70%、硅Si原子的存在比例为5~20%的部分区域(A1),和氧O原子的存在比例为1~15%、碳C原子的存在比例为72~87%、硅Si原子的存在比例为7~18%的部分区域(A2)。
申请公布号 CN103249859B 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201180049692.3 申请日期 2011.10.13
申请人 琳得科株式会社 发明人 永元公市;近藤健;永绳智史;铃木悠太
分类号 C23C14/48(2006.01)I;B32B27/16(2006.01)I;C08J7/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I 主分类号 C23C14/48(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 蔡晓菡;李炳爱
主权项 透明导电性膜,其特征在于,其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜,所述阻气层由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料构成,并具有厚度为5~110nm的下述区域(A),所述区域(A)从表面向着深度方向,层中的氧原子的存在比例逐渐减少,碳原子的存在比例逐渐增加,所述区域(A)包含相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量,氧原子的存在比例为20~55%、碳原子的存在比例为25~70%、硅原子的存在比例为5~20%的厚度为1~10nm的部分区域(A1),和氧原子的存在比例为1~15%、碳原子的存在比例为72~87%、硅原子的存在比例为7~18%的部分区域(A2),所述透明导电体层是包含锌系氧化物的厚度为20nm~500nm的层,下述式所示的T1小于1.0,T2为1.0以下,<img file="dest_path_image001.GIF" wi="238" he="41" />式中,R0表示透明导电性膜的初始薄层电阻值,R1表示将透明导电性膜在60℃的环境下放置3天后的薄层电阻值,R2表示将透明导电性膜在60℃90%RH环境下放置3天后的薄层电阻值,在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为小于0.5g/m<sup>2</sup>/天。
地址 日本东京都