THERMAL PROCESSING IN SILICON

摘要

내부 수소 소스를 포함하는 결정질 실리콘 영역을 구비한, 디바이스를 처리하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은, i) 라미네이션을 형성하기 위해 디바이스의 전면 및 배면 각각에 캡슐화 재료를 적용하는 단계, ii) 디바이스에 캡슐화 재료를 접합하기 위해 라미네이션에 압력을 적용하고 라미네이션을 가열하는 단계, iii) 광 조사하면서 디바이스를 냉각시키는 단계를 포함하며, 가열 단계 또는 냉각 단계, 또는 가열 단계와 냉각 단계는 광 조사하면서 완료된다.