DEVICE WITH SRAM MEMORY CELLS COMPRISING MEANS FOR POLARISING TRANSISTOR BOXES OF MEMORY CELLS

摘要

Dispositif mémoire (100) comportant :
- une matrice de plusieurs colonnes de cellules mémoires SRAM comportant chacune des transistors formant un point mémoire, un port de lecture et un port d'écriture, et tels que les transistors du port de lecture et/ou les transistors de type P comportent un deuxième caisson (133) d'un type de conductivité opposé à celui d'un premier caisson (125) des autres transistors ;
- des moyens (136, 138, 140, 142) de polarisation des deuxièmes caissons, aptes à sélectionner et appliquer des valeurs de polarisation sur les deuxièmes caissons, comprenant :
€¢ un circuit mémoire des états de polarisation des deuxièmes caissons pour chaque colonne ou groupe de colonnes ;
€¢ un circuit de sélection appliquant sur les deuxièmes caissons un potentiel de polarisation selon l'une des valeurs reçues en entrée, en fonction de l'état de polarisation mémorisé associé à la colonne ou au groupe de colonnes.