发明名称 |
一种多孔分离膜的间歇式等离子体改性方法 |
摘要 |
本发明提供一种制备多孔分离膜的间歇式等离子体改性方法,包括下述步骤,将常规超滤膜或微滤膜固定于装有电极板的室温等离子体腔室中,在一定真空度条件下将气体引入腔室,室温下采用间歇辉光放电方式处理基膜表面,获得最终亲水性或疏水性多孔分离膜产品。与现有连续式和脉冲式室温等离子体改性方法相比,本发明提供的改性方法过程简单、可控性强且无需特殊设备,可显著增强多孔分离膜表面的亲水性或疏水性;所制亲水性多孔分离膜可广泛应用于超滤、微滤、透析等过程,所制疏水性多孔分离膜可广泛应用于膜蒸馏、膜吸收、膜萃取、蒸汽渗透、油性料液澄清等过程,所制多孔分离膜也可以作为基膜用于复合膜的制备。 |
申请公布号 |
CN103272482B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201310188878.8 |
申请日期 |
2013.05.21 |
申请人 |
中国科学院过程工程研究所 |
发明人 |
沈飞;万印华;康英珂;闫会;吴欢欢;刘丽霞 |
分类号 |
B01D67/00(2006.01)I;B01D69/02(2006.01)I |
主分类号 |
B01D67/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种多孔分离膜的间歇式等离子体改性方法,其特征在于包括下述步骤,将多孔分离膜固定于装有电极板的室温等离子体腔室中,在一定真空度条件下将气体引入腔室,室温下采用间歇辉光放电方式处理多孔分离膜表面获得最终改性多孔分离膜产品;所述间歇辉光放电方式为:到达指定条件时打开辉光放电开关1s~10min,之后关闭辉光放电开关1s~10min,然后再次开启辉光放电开关1s~10min,如此反复操作,但总处理时间不超过120min;所述指定条件为腔室内真空度能保证室温等离子体辉光放电正常发生。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北二条1号 |