光电二极管以及光电二极管阵列

摘要

光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p^-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p^-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。

主权项

一种光电二极管阵列，其特征在于，是将入射被检测光的多个光检测通道形成于具有第1导电类型的半导体层的硅基板而成的光电二极管阵列，包括：第2导电类型的外延半导体层，其形成于第1导电类型的所述半导体层上，在与该半导体层的界面构成pn结，并且以各倍增区域与所述各光检测通道相互对应的方式，具有使通过所述被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的多个倍增区域；以及多个电阻，其具有两个端部，且对于各所述光检测通道而设置，经由一方的所述端部而与所述外延半导体层电性连接，并且经由另一方的所述端部而与信号导线连接，在第1导电类型的所述半导体层中的至少与所述各光检测通道对应的表面形成有不规则的凹凸，第1导电类型的所述半导体层中的至少与所述各光检测通道对应的所述表面光学性地露出，所述光电二极管阵列是表面入射型，与形成有不规则的所述凹凸的所述表面相对的面被作为光入射面，从所述光入射面入射的光在所述硅基板内行进，第1导电类型的所述半导体层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差，从所述光入射面入射并在所述硅基板内行进的光由不规则的所述凹凸而被反射、散射或者扩散，不规则的所述凹凸是通过脉冲激光的照射而形成的不规则的凹凸。