具有穿通访问的垂直非易失性开关及其制造方法

摘要

提供一种用于访问非易失性存储器单元的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件具有包括源极、漏极和阱的半导体层的垂直叠层。向半导体器件施加漏极-源极偏置电压产生跨阱的穿通机制以在源极和漏极之间发起电流流动。

主权项

一种包含半导体层的垂直叠层的半导体器件，所述垂直叠层包括源极、漏极和连接到第一和第二栅极的阱，所述第一和第二栅极分别对应于通过所述阱的第一和第二传导沟道，其中在写入操作期间的漏极‑源极偏置电压和第一栅极电压的施加产生横跨所述阱的穿通机制以在所述源极和所述漏极之间引发双向电流流动，并且在读取操作期间的与所述第一栅极电压不同的第二栅极电压的施加引发通过所述穿通机制和所述第一和第二传导沟道的双向电流流动。