| 发明名称 | 密封环及具有密封环的半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种密封环及具有所述密封环的半导体结构，所述密封环包括：衬底，所述衬底包括环形的第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区，所述第二重掺杂区和第三重掺杂区分别位于所述第一重掺杂区两侧，且与所述第一重掺杂区毗邻，其中，第一重掺杂区为第一类型掺杂，第二重掺杂区和第三重掺杂区为第二类型掺杂；分别位于所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区上的独立的三个金属互连结构，所述金属互连结构为多层堆叠的环形结构，包括接触通孔和金属互连线，各层金属互连线之间通过接触通孔电连接；所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区分别通过所述接触通孔与金属互连线连接。所述密封环的隔离保护性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN105470242A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201610041242.4 | 申请日期 | 2016.01.21 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 曹云 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种密封环，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括环形的第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区，所述第二重掺杂区和第三重掺杂区分别位于所述第一重掺杂区两侧，且与所述第一重掺杂区毗邻，其中，第一重掺杂区为第一类型掺杂，第二重掺杂区和第三重掺杂区为第二类型掺杂；分别位于所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区上的独立的三个金属互连结构，所述金属互连结构为多层堆叠的环形结构，包括接触通孔和金属互连线，各层金属互连线之间通过接触通孔电连接；所述第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区分别通过所述接触通孔与金属互连线连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||