一种等离子体电解氧化电源

摘要

本发明涉及一种等离子体电解氧化电源，三相交流电经变压整流、滤波后分正负两组直流脉冲，直流脉冲可由控制单元控制，包括三相变压器、三相可控硅整流桥、电解电容、IGBT单元、控制单元，三相可控硅整流桥包括可控硅1K1～1K6、可控硅2K1～2K6；电解电容包括电解电容C11、电解电容C12；IGBT单元包括IGBT器件VT1、IGBT器件VT2以及与之配套的驱动核。优点是：本电源将三相交流电经变压整流、滤波后分正负两组直流脉冲，其单组连续脉冲个数、脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲频率、脉冲幅值均可设置，可实现恒压、恒流、恒功率控制。本电源在等离子体电解氧化工艺中可使铝基金属表面形成刚玉陶瓷层。

主权项

一种等离子体电解氧化电源，其特征在于，三相交流电经变压整流、滤波后分正负两组直流脉冲，直流脉冲可由控制单元控制，包括三相变压器、三相可控硅整流桥、电解电容、IGBT单元、控制单元，三相可控硅整流桥包括可控硅1K1～1K6、可控硅2K1～2K6；电解电容包括电解电容C11、电解电容C12；IGBT单元包括IGBT器件VT1、IGBT器件VT2以及与之配套的驱动核；具体电路结构为：三相交流电经断路器QF1与三相变压器一次侧相连，三相变压器二次侧有三相AC540V和三相AC220V两个绕组，AC540V绕组的A21端与可控硅1K1阳极、可控硅1K4阴极相连；AC540V绕组的B21端与可控硅1K3阳极、可控硅1K6阴极相连；AC540V绕组的C21端与可控硅1K5阳极、可控硅1K2阴极相连；AC220V绕组A31端与可控硅2K1阳极、可控硅2K4阴极相连；AC220V绕组B31端与可控硅2K3阳极、可控硅2K6阴极相连；AC220V绕组C31端与可控硅2K5阳极、可控硅2K2阴极相连；IGBT器件VT1的集电极与可控硅1K1阴极、可控硅1K3阴极、可控硅1K5阴极电解电容C11正极、熔断器FU10一端相连，IGBT器件VT1的发射极与IGBT器件VT2的集电极通过镀件与电解液相连；可控硅2K4阳极、可控硅2K6阳极、可控硅2K2阳极、电解电容C12正极、熔断器FU11一端与IGBT器件VT2的发射极相连；电解电容C12负极、熔断器FU11另一端、电解电容C11负极、熔断器FU10另一端、可控硅1K4阳极、可控硅1K6阳极、可控硅1K2阳极、可控硅2K1阴极、可控硅2K3阴极、可控硅2K5阴极与0V端相连接；电解液容器壁与0V端相连接；所述的控制单元包括触摸屏、PLC控制器、1#单片机、2#单片机，PLC控制器与触摸屏、1#单片机、2#单片机相连接，PLC控制器将信号通过RS485接口发送到1#单片机、2#单片机，1#控制IGBT单元的脉冲输出，2#单片机控制三相可控硅整流桥；触摸屏用以显示工艺画面并与PLC通讯并通过PLC向单片机下发设定参数，进行各项数据的显示。