一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法

摘要

本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法，使用金属箔作为转移支撑衬底，有效减轻器件重量，提高重量比功率，同时具有柔性功能。使用金属键合方法，具有稳定且良好导电性的连接方式，采用真空蒸发的方式制备键合金属层，易于实现厚度控制且均一性好。采用石墨片作为缓冲垫片，可以有效改善键合质量，减少空洞，提高成品率。本发明应用金属键合工艺转移砷化镓外延层至金属柔性衬底。可实现轻便化，柔性化的技术特点。可扩展Ⅲ-Ⅴ族外延产品的应用范围。

主权项

一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)蒸镀键合金属：将依次由砷化镓衬底、GaInP阻挡层和外延层构成的外延片和金属箔进行超声清洗，然后放入真空蒸发机台，在金属箔和外延片的外延面上依次蒸发Ti、Au，Ti、Au厚度分别为100‑500nm,500‑1000nm；将蒸度完成的外延片及金属箔蒸发面相对对齐，并用石墨片压紧备用；(2)金属键合：将上述被石墨片夹紧的外延片及金属箔一起放入金属键合机中进行键合，工艺参数温度350‑400℃，压强1‑1.5MPa，时间0.5‑2h；(3)砷化镓衬底去除：将上述键合完成的外延片及金属箔取出，在金属箔一面贴上蓝膜或UV膜进行保护和支撑，放入腐蚀液中进行衬底腐蚀，腐蚀直至砷化镓衬底全部去除，表面露出完整的GaInP阻挡层为止；(4)再用体积比1:1‑2:1的浓盐酸与浓磷酸混合的腐蚀液去除GaInP阻挡层；然后用去离子水冲洗干净，使用氮气枪吹干即可。