METHOD FOR LOCALISED ANNEALING OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS BY MEANS OF A REFLECTING AREA

摘要

Procédé de réalisation d'éléments semi-conducteurs à base de matériau semi-conducteur cristallin, comprenant des étapes consistant à :
a) prévoir un support (10-11-12-15) comportant des éléments semi-conducteurs à base de matériau semi-conducteur amorphe, le support étant doté en outre d'un ou plusieurs composants (T 1 , T 2 ) et d'une zone de protection réfléchissante configurée de manière à réfléchir un rayonnement lumineux dans une gamme de longueur d'ondes donnée,
b) exposer le ou les éléments (2) à un rayonnement laser (5) émettant dans ladite gamme de longueurs d'ondes donnée de manière à recristalliser lesdits éléments, la zone de protection réfléchissante étant agencée sur le support par rapport aux éléments et aux composants de manière à réfléchir le rayonnement laser et protéger les composants de ce rayonnement (figure 1).