发明名称 边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
摘要 本发明讨论了边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法,由此该装置包括:选通线,其沿着一个方向形成在第一基板的表面上;数据线,其形成在所述第一基板上,并且与所述选通线交叉从而限定像素区;薄膜晶体管,其形成在第一基板上,并且形成在所述选通线和所述数据线的交叉处;绝缘层,其具有开口部分,所述开口部分位于所述薄膜晶体管的上部,用于至少暴露出所述薄膜晶体管的栅极部分;像素电极,其形成在所述绝缘层的上部,并且连接到被暴露出的薄膜晶体管;钝化层,其形成在所述绝缘层的上部;以及多个公共电极,它们形成在所述钝化层的上部并且相互分开。
申请公布号 CN102998863B 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201210330036.7 申请日期 2012.09.07
申请人 乐金显示有限公司 发明人 崔昇圭;李仙花;申东秀;李哲焕;朴原根
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚;宋海龙
主权项 一种液晶显示装置,该液晶显示装置包括:基板;选通线,其沿着一个方向形成在所述基板的表面上;数据线,其形成在所述基板上,并且与所述选通线交叉从而限定像素区;薄膜晶体管,其形成在所述基板上,并且形成在所述选通线和所述数据线的交叉处;绝缘层,其具有开口部分,所述开口部分位于所述薄膜晶体管的上部,用于至少暴露出所述薄膜晶体管的栅极部分;像素电极,其形成在所述绝缘层的上部,并且连接到被暴露出的薄膜晶体管;钝化层,其形成在包括所述像素电极的所述绝缘层的上部;以及多个公共电极,它们形成在所述钝化层的上部并且相互分开,其中,所述开口部分还暴露出构成所述薄膜晶体管的源电极、与沟道区相对应的有源层、欧姆接触层和有源层的侧壁、和漏电极的上部,其中,所述像素电极通过所述开口部分直接连接到所述漏电极,而没有接触孔。
地址 韩国首尔