| 发明名称 | 带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一支撑层、第一支撑层表面的第一埋层以及第一埋层表面的第一器件层，所述第一器件层具有第一晶向，所述第二衬底包括第二支撑层、第二支撑层表面的第二埋层以及第二埋层表面的第二器件层，所述第二器件层具有第二晶向；在第一器件层和/或第二器件层的表面形成隔离层；以隔离层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；去除第二支撑层和第二埋层；在第二器件层和隔离层中形成窗口，以暴露出第一器件层；在窗口中外延生长第三器件层，所述第三器件层具有第一晶向。本发明的优点在于能够提高了混晶衬底中的两种晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103745952B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201310724870.9 | 申请日期 | 2013.12.25 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 魏星;陈达;薛忠营;狄增峰;方子韦 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一支撑层、第一支撑层表面的第一埋层以及第一埋层表面的第一器件层，所述第一器件层具有第一晶向，所述第二衬底包括第二支撑层、第二支撑层表面的第二埋层以及第二埋层表面的第二器件层，所述第二器件层具有第二晶向；在第一器件层和/或第二器件层的表面形成隔离层；以隔离层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；去除第二支撑层和第二埋层；在第二器件层和隔离层中形成窗口，以暴露出第一器件层；在窗口中外延生长第三器件层，所述第三器件层具有第一晶向。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||