发明名称 |
用于等离子处理腔室的气体喷淋头及其涂层形成方法 |
摘要 |
本发明提供了用于等离子体处理腔室的气体喷淋头的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积形成。所述涂层的形成包括一物理过程,其将源材料浓缩于气体喷淋头表面,还包括一化学过程,其中等离子体中的活性成份与该浓缩的源材料反应。并且,等离子体中的非反应成份轰击气体喷淋头表面以使所述涂层更紧密。 |
申请公布号 |
CN103794459B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201210421403.4 |
申请日期 |
2012.10.29 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
贺小明;倪图强;张翰廷;徐朝阳;王明方;万磊;杨平 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种在用于等离子处理腔室的气体喷淋头的至少一部分表面上制造涂层的方法,所述气体喷淋头具有一表面,其配置为在制程中面对并曝露于所述等离子处理腔室中的等离子体,其特征在于,所述方法包括:用一多孔板制造所述气体喷淋头,所述多孔板具有多个注气孔;将所述气体喷淋头插入一真空腔室,配置使得所述表面面对一设置于所述真空腔室中的源材料;蒸发或溅射所述源材料于所述真空腔室中;注入包含活性成份和非活性成份的气体于所述真空腔室中;激发并维持等离子体于所述气体喷淋头表面,使得被离子化的活性成份和非活性成份的离子在所述气体喷淋头表面上撞击并与所述源材料化学反应,从而在所述气体喷淋头的至少部分表面上形成一涂层,其中,所述涂层包括来自源材料的原子和来自所述活性成份的原子。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |