一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器该二硫化钼/半导体异质结光电探测器自下而上依次有背电极层、半导体衬底层、二硫化钼层,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极，在两块表面电极之间的二硫化钼层上还具有量子点层。其制造步骤包括：先在半导体衬底背面制作背面电极层，然后将二硫化钼转移至半导体衬底层上，之后在二硫化钼层上制作表面电极，并在二硫化钼层上制作量子点层。本发明的二硫化钼/半导体异质结光电探测器通过增设量子点层辅助增强器件的光吸收，获得的光电探测器光响应灵敏，探测能力高，能够自驱动，应用领域广泛。

主权项

一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于自下而上依次有背电极层（1）、半导体衬底层（2）、二硫化钼层（3）,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极（4），在两块表面电极（4）之间的二硫化钼层上还具有量子点层（5）。