| 发明名称 | 一种高性能磁阻器件及制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能磁阻器件及制造工艺，通过多个科比诺圆盘的串联结构，取代传统的长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应的同时，又具备较大的输入阻抗。 | ||
| 申请公布号 | CN105470276A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201511028560.9 | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 江苏森尼克电子科技有限公司 | 发明人 | 马可军;俞振中;郑律 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 孙仿卫 |
| 主权项 | 一种高性能磁阻器件，其特征在于：它包括基底（1）、在所述基底（1）之上的依次排布的多个InSb薄膜圆盘（2）、在所述InSb薄膜圆盘（2）之上的环形电极（5）、在所述InSb薄膜圆盘（2）之上并位于所述环形电极（5）内侧的中心电极（6）、在所述环形电极（5）之上并部分覆盖环形电极（5）的绝缘膜（7），所述高性能磁阻器件还包括第一电极（3）、第二电极（4）以及多个连接电极（8），设所述InSb薄膜圆盘（2）为n个，所述连接电极（8）为n+1个，n≥2，并设1＜x≤n，n和x均为整数，第1个连接电极（8）的一端与所述第一电极（3）相连接，另一端跨过位于第1个InSb薄膜圆盘（2）上的绝缘膜（7）并与第1个InSb薄膜圆盘（2）上的中心电极（6）相连接，第x个连接电极（8）的一端与第x‑1个InSb薄膜圆盘（2）上的环形电极（5）相连接，另一端跨过位于第x个InSb薄膜圆盘（2）上的绝缘膜（7）并与第x个InSb薄膜圆盘（2）上的中心电极（6）相连接，第n+1个连接电极（8）的一端与第n个InSb薄膜圆盘（2）上的环形电极（5）相连接，另一端与所述第二电极（4）相连接。 | ||
| 地址 | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心4栋253A室 | ||