| 发明名称 |
一种Si/NiO:Al异质pn结二极管 |
| 摘要 |
本发明公开了一种Si/NiO:Al异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Al薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。 |
| 申请公布号 |
CN105470314A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
| 申请号 |
CN201410462308.8 |
申请日期 |
2014.09.12 |
| 申请人 |
天津职业技术师范大学 |
发明人 |
李彤;邓学松;王达夫 |
| 分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种Si/NiO:Al异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由n型Si衬底上生长NiO:Al薄膜而得到的异质pn结。 |
| 地址 |
300222 天津市津南区大沽南路1310号 |
