一种早花忍冬的离体快繁方法

摘要

本发明属于植物组织培养领域，提供了一种早花忍冬的离体快繁方法。本发明以早花忍冬的幼嫩茎段为外植体，以MS为基本培养基，添加植物生长调节剂6-BA、NAA诱导腋芽萌发生长，再经继代增殖培养、生根诱导及炼苗移栽，可在短时间内获得大量再生植株。本发明为早花忍冬优质种苗的快速繁殖提供一条有效途径，其增殖系数较高,诱导生根率高，易移栽成活。在很大程度上满足东北地区早春园林绿化美化的需求，为进一步综合开发利用奠定基础。

主权项

一种早花忍冬的离体快繁方法，其特征在于包括以下步骤：（1）外植体的消毒及初代培养：选择生长健壮的无病虫害的当年萌发的幼嫩枝条为外植体，先用流水冲洗1h，然后加入洗洁精浸泡10 min，再用2.0% NaCLO处理20 min，无菌水冲洗3次；将嫩枝修剪成1cm左右带芽茎段接种于启动诱导培养基上，置于每天光照10～12h,光照强度约为20001x,培养温度为23～25℃条件下培养,直至诱导腋芽生长；（2）继代增殖培养：将腋芽萌发生长的芽苗转入增殖培养基上进行继代增殖培养,置于每天光照12小时,光照强度为20001x,培养温度为23～25℃条件下培养，直至腋芽萌发，继代周期为40d；（3）生根诱导培养：将高度约为3cm的生长健壮的无根苗接种到生根培养基上进行生根诱导, 置于每天光照12小时,光照强度为2000～25001x,培养温度为23～25℃条件下培养至生根； (4)炼苗移栽: 早花忍冬在生根培养基中培养30～35d后，挑选生长健壮、根系发达的组培苗, 先打开封口膜置于自然光照下炼苗3～5d, 然后用清水洗净根部残留的培养基, 移栽到已消毒的含有等量珍珠岩和蛭石的基质中。