| 发明名称 | 采用CMP工艺制作大通孔晶圆转接板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用CMP工艺制作大通孔晶圆转接板的方法，包括以下步骤：（1）在晶圆背面通过光刻工艺制作出RDL走线图形，得到RDL区域；再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形，在TSV孔开口图形刻蚀出TSV孔；（2）晶圆的背面沉积绝缘层，绝缘层覆盖晶圆的背面、RDL区域的侧壁和底部、以及TSV孔的侧壁和底部；然后在晶圆背面的绝缘层上制作金属薄膜；（3）采用CMP工艺研磨晶圆背面直到露出绝缘层，使RDL区域的金属薄膜与晶圆背面的绝缘层平齐，从而在RDL区域形成RDL线路；最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔的底部开口露出来。本发明避免了先开TSV孔后进行光刻的工艺流程，使TSV转接板工艺更加可靠，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105470146A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201510942778.9 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明人 | 冯光建 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 殷红梅;刘海 |
| 主权项 | 一种采用CMP工艺制作大通孔晶圆转接板的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆（1）背面通过光刻工艺制作出RDL走线图形，得到RDL区域（2）；再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形（3），在TSV孔开口图形（3）刻蚀出TSV孔（4）；（2）晶圆（1）的背面沉积绝缘层（5），绝缘层（5）覆盖晶圆（1）的背面、RDL区域（2）的侧壁和底部、以及TSV孔（4）的侧壁和底部；然后在晶圆（1）背面的绝缘层（5）上制作金属薄膜（6）；（3）采用CMP工艺研磨晶圆（1）背面直到露出绝缘层（5），使RDL区域（2）的金属薄膜（6）与晶圆（1）背面的绝缘层（5）平齐，从而在RDL区域（2）形成RDL线路；最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔（4）的底部开口露出来。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||