一种亚阈值全CMOS基准电压源

摘要

本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。

主权项

一种亚阈值全CMOS基准电压源，其特征在于：包括启动电路、亚阈值运算放大器、纳安基准电流产生电路和基准电压产生电路；启动电路，连接亚阈值运算放大器；在基准电压源开启时提供电流，帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态；亚阈值运算放大器，分别连接到启动电路和纳安基准电流产生电路；利用共源共栅电流镜为运算放大器的差分对管提供电流偏置；利用工作在亚阈值区的差分对管，在保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比；利用工作在深线性区的NMOS管，充当长尾电阻的作用；纳安基准电流产生电路，分别连接亚阈值运算放大器和基准电压产生电路；利用工作在亚阈值区MOS管工作特性，产生纳安量级的基准电流；采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声；采用工作在线性区的MOS管代替传统基准电压源中的电阻，为基准电压产生电路提供电流偏置；基准电压产生电路，连接纳安基准电流产生电路；采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。