半导体装置的形成方法

摘要

本发明一实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：提供一基板，在该基板上依序形成一栅极介电层、一栅极材料层、一阻障氧化层、以及一硬罩幕层；依序刻蚀硬罩幕层、阻障氧化层、栅极材料层、栅极介电层及基板，以在基板中形成一沟槽；在沟槽中填入一氧化物层；凹蚀沟槽中的该氧化物层，以降低氧化物层的高度；移除硬罩幕层，且在移除步骤中以阻障氧化层保护其下之栅极材料层；以及移除阻障氧化层，而暴露出栅极材料层。

主权项

一种半导体装置的形成方法，其特征在于，所述的形成方法包括：提供一基板，在所述的基板上依序形成一栅极介电层、一栅极材料层、一阻障氧化层、以及一硬罩幕层；依序刻蚀所述的硬罩幕层、所述的阻障氧化层、所述的栅极材料层、所述的栅极介电层及所述的基板，以在所述的基板中形成一沟槽；在所述的沟槽中填入一氧化物层；凹蚀所述的沟槽中的所述的氧化物层，以降低所述的氧化物层的高度；移除所述的硬罩幕层，且在所述的移除步骤中以所述的阻障氧化层保护其下之所述的栅极材料层；以及移除所述的阻障氧化层，而暴露出所述的栅极材料层，在移除所述的阻障氧化层后暴露出的所述的栅极材料层具有圆弧形的边角。