半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在半导体衬底表面形成第一介质层和浮栅层；在浮栅层表面形成具有若干开口的第二介质层；在所述第二介质层和开口的内壁表面形成第一侧墙材料层，第一区域上的第一侧墙材料层的厚度大于第二区域上侧墙材料层的厚度；对第一侧墙材料层进行化学机械研磨处理，使第一区域上的第一侧墙材料层的顶部表面低于或等于第二区域上的第一侧墙材料层的顶部表面；刻蚀所述第一侧墙材料层，在所述第二介质层的侧壁表面形成第一侧墙，位于第一区域上的第一侧墙厚度与第二区域上的第一侧墙的厚度相同。所述半导体结构的形成方法可以提高最终形成的闪存的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于半导体衬底的边缘位置，第二区域位于半导体衬底的中心位置；在所述半导体衬底表面形成第一介质层和位于所述第一介质层表面的浮栅层；在所述浮栅层表面形成具有若干开口的第二介质层，所述开口暴露出部分浮栅层的表面；在所述第二介质层和开口的内壁表面形成第一侧墙材料层，第一区域上的第一侧墙材料层的厚度大于第二区域上第一侧墙材料层的厚度；对所述第一侧墙材料层进行化学机械研磨处理，使所述第一区域上的第一侧墙材料层的顶部表面低于或等于第二区域上的第一侧墙材料层的顶部表面，使第一区域的开口侧壁表面的第一侧墙材料层顶部具有一水平表面以提高后续刻蚀第一侧墙材料层时，第一区域上开口内的第一侧墙材料层的横向刻蚀量；刻蚀所述第一侧墙材料层，在所述第二介质层的侧壁表面形成第一侧墙，使位于第一区域上的第一侧墙厚度与第二区域上的第一侧墙的厚度相同。