发明名称 |
图像传感器的像素单元及其形成方法 |
摘要 |
一种高动态范围的图像传感器像素单元及其形成方法,其中的图像传感器的像素单元包括:位于衬底内相互分立的光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;位于衬底表面的第一栅极结构,第一栅极结构具有第一端和第二端,第一栅极结构的第一端位于光电二极管和第一浮置扩散区之间,用于构成传输晶体管,第一栅极结构的第二端位于第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间,用于构成控制晶体管,传输晶体管的阈值电压低于控制晶体管的阈值电压,传输晶体管和控制晶体管共用栅极信号;位于衬底表面的复位晶体管,用于使第一浮置扩散区和第二浮置扩散区复位。所述图像传感器像素单元的电路布图结构得到简化、提高像素填充率(Fill factor)。 |
申请公布号 |
CN103811510B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201410084191.4 |
申请日期 |
2014.03.07 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
饶金华;张克云 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种图像传感器的像素单元,其特征在于,包括:衬底;位于衬底内的光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,所述光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区相互分立;位于衬底表面的第一栅极结构,所述第一栅极结构具有第一端和第二端,所述第一栅极结构的第一端位于光电二极管和第一浮置扩散区之间,用于构成传输晶体管,所述第一栅极结构的第二端位于第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间,用于构成控制晶体管,所述传输晶体管的阈值电压低于控制晶体管的阈值电压,所述传输晶体管和控制晶体管共用栅极信号;位于衬底表面的复位晶体管,用于使第一浮置扩散区和第二浮置扩散区复位。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |