| 发明名称 | 半导体晶片的研磨方法及研磨装置 | ||
| 摘要 | 具备研磨工序、测量工序、研磨条件设定工序，在所述研磨工序中借助研磨机构（1）研磨半导体晶片（W），在所述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片（W）的研磨面变成亲水面之前，借助测量机构（3）测量前述半导体晶片（W）的形状，在所述研磨条件设定工序中，借助研磨条件设定机构（51），基于前述半导体晶片（W）的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。 | ||
| 申请公布号 | CN105474367A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201480047485.8 | 申请日期 | 2014.05.29 |
| 申请人 | 胜高科技股份有限公司 | 发明人 | 山下健儿 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/34(2006.01)I;B24B49/03(2006.01)I;B24B49/10(2006.01)I;B24B49/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雨;李婷 |
| 主权项 | 一种半导体晶片的研磨方法，其特征在于，具备研磨工序、测量工序和研磨条件设定工序，在前述研磨工序中研磨半导体晶片，在前述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片的研磨面变成亲水面之前，测量前述半导体晶片的形状，在前述研磨条件设定工序中，基于前述半导体晶片的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。 | ||
| 地址 | 日本长崎县大村市 | ||