发明名称 |
基于吸气剂的MEMS高真空封装结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体,在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递,避免其产生的热量通过封装基底或者封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上,对IC/MEMS器件造成不利影响,更重要的是可以提高吸气剂的激活效率和成功率,减少吸气剂激活失败引起的封装结构的报废。 |
申请公布号 |
CN205133146U |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201520913888.8 |
申请日期 |
2015.11.17 |
申请人 |
合肥芯福传感器技术有限公司 |
发明人 |
赵照 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,其特征在于:在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。 |
地址 |
230031 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋1405室 |