一种横向沟槽结构的同位素电池

摘要

本实用新型公开了一种横向沟槽结构的同位素电池，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本实用新型采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，P型SiC欧姆接触掺杂区的上部设置有P型欧姆接触电极。

主权项

一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，包括由SiC基片构成的衬底(1)，衬底(1)上部设置有N型SiC外延层(2)，所述N型SiC外延层(2)上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区(3)，N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端设置有N型欧姆接触电极(5)，所述N型欧姆接触电极(5)两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源(7)；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区(4)，P型SiC欧姆接触掺杂区(4)的上部设置有P型欧姆接触电极(6)。