| 发明名称 | 薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为E<sub>CP</sub>、E<sub>C1</sub>，则E<sub>CP</sub><E<sub>C1</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN103026492B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201280002085.6 | 申请日期 | 2012.02.06 |
| 申请人 | 株式会社日本有机雷特显示器;松下液晶显示器株式会社 | 发明人 | 钟之江有宣;川岛孝启;林宏;河内玄士朗 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 徐健;段承恩 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管器件，具备：栅电极，其形成于基板上；栅极绝缘膜，其形成于所述栅电极上；结晶硅薄膜，其形成于所述栅极绝缘膜上；第1半导体膜，其形成于所述结晶硅薄膜上；一对第2半导体膜，其形成于所述第1半导体膜上；源电极，其形成于所述一对第2半导体膜的一方的上方；以及漏电极，其形成于所述一对第2半导体膜的另一方的上方，所述第1半导体膜与所述结晶硅薄膜接触，将所述结晶硅薄膜和所述第1半导体膜的导带下端的能级分别设为E<sub>CP</sub>、E<sub>C1</sub>，则E<sub>CP</sub><E<sub>C1</sub>，并且，所述结晶硅薄膜的导带下端的能级E<sub>CP</sub>和所述第1半导体膜的导带下端的能级E<sub>C1</sub>在所述结晶硅薄膜与所述第1半导体膜的接合部分不产生尖峰。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||