一种半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括步骤：提供衬底；在衬底之上形成第一单晶半导体层；刻蚀第一单晶半导体层以形成多个开口；从多个开口对第一单晶半导体层刻蚀以形成多个孔或槽，多个孔或槽延伸至衬底顶部表面或内部；通过多个孔或槽对衬底进行腐蚀处理以使衬底的顶部形成多孔结构；以及淀积单晶半导体材料，以在第一单晶半导体层之上形成第二单晶半导体层。该方法能够降低单晶半导体的位错密度，避免热失配导致龟裂，提高薄膜生长质量，有利于降低成本和后期衬底剥离。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底为Si；在所述衬底之上形成第一单晶半导体层；刻蚀所述第一单晶半导体层以形成多个开口；从所述多个开口对所述第一单晶半导体层刻蚀以形成多个孔或槽，所述多个孔或槽延伸至所述衬底顶部表面或内部；通过所述多个孔或槽对所述衬底进行腐蚀处理以使所述衬底的顶部形成多孔结构，所述腐蚀处理为电化学腐蚀处理；通入含氮或含氧气体以使所述多孔结构发生反应变质并形成隔离层；以及淀积单晶半导体材料，以在所述第一单晶半导体层之上形成第二单晶半导体层。