发明名称 |
一种大降压变比谐波电流注入型三相功率因数校正电路 |
摘要 |
本发明涉及一种大降压变比谐波电流注入型三相功率因数校正电路,通过一种三开关谐波电流注入网络,对工频整流时输入相电流为死区的部分进行补偿,从而实现三相电流正弦控制。谐波电流注入网络中的开关切换不存在将输入电压短路的风险,注入支路桥臂之间的换流可以实现无死区的平滑过渡,进一步减小输入电流畸变;引入开关电感网络,形成串联充电,并联放电的结构;结合谐波电流注入网络的开关控制,实现大变比降压输出。本发明无需复杂的矢量控制,只要采用DC/DC PWM控制技术,就可以在实现三相输入电流正弦化的同时实现大降压变比,控制方便易于实现,不仅拓宽了占空比的工作范围,且有利于降低导通损耗,容易实现多机并联工作时的均流控制。 |
申请公布号 |
CN105471252A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201610001626.3 |
申请日期 |
2016.01.05 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
林维明;张强 |
分类号 |
H02M1/42(2007.01)I;H02M1/12(2006.01)I;H02M7/219(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/42(2007.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种大降压变比谐波电流注入型三相功率因数校正电路,其特征在于:包括三相交流输入电源Uin、三相整流桥DB1、功率MOSFET管S1、功率MOSFET管S2、谐波电流注入网络、开关电感网络、输出滤波电容Cf及负载RL;所述谐波电流注入网络包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、二极管D13、二极管D14、功率MOSFET管Sy1、功率MOSFET管Sy2及功率MOSFET管Sy3,所述开关电感网络包括二极管D7、二极管D8、电感L1及电感L2;所述三相交流输入电源Uin的三个输入相电压分别与三相整流桥DB1的三个输入端连接,所述三相交流输入电源Uin的三个输入相电压还分别与二极管D9的阴极和二极管D10的阳极、二极管D11的阴极和二极管D12的阳极、二极管D13的阴极和二极管D14的阳极连接;所述三相整流桥DB1的正输出端与功率MOSFET管S1的漏极连接,所述三相整流桥DB1的负输出端与功率MOSFET管S2的源极连接;所述功率MOSFET管S1的源极与二极管D1的阴极、二极管D3的阴极、二极管D5的阴极、二极管D7的阴极及电感L1的一端连接;二极管D1的阳极与二极管D9的阳极及功率MOSFET管Sy1的源极连接,二极管D3的阳极与二极管D11的阳极及功率MOSFET管Sy2的源极连接,二极管D5的阳极与二极管D13的阳极及功率MOSFET管Sy3的源极连接;所述功率MOSFET管S2的漏极与二极管D2的阳极、二极管D4的阳极、二极管D6的阳极、二极管D8的阳极及电感L2的一端连接;二极管D2的阴极与二极管D10的阴极及MOSFET管Sy1的漏极连接,二极管D4的阴极与二极管D12的阴极及MOSFET管Sy2的漏极连接,二极管D6的阴极与二极管D14的阴极及MOSFET管Sy3的漏极连接;所述电感L1的另一端与电感D8的阴极、输出滤波电容Cf的正极及负载RL的一端连接;所述电感L2的另一端与电感D7的阳极、输出滤波电容Cf的负极及负载RL的另一端连接。 |
地址 |
350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 |