| 发明名称 | 半导体器件及其沟道结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有复合结构的半导体器件，该半导体器件包括沟道结构，该沟道结构具有：内芯杆，基本沿着半导体器件的沟道方向延伸；和外部套管层，设置在内芯杆上。内芯杆机械支撑半导体器件的沟道长度上的套管构件。本发明的实施例还涉及半导体器件的沟道结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105470303A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201510565924.0 | 申请日期 | 2015.09.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 卡洛斯·H·迪亚兹;让-皮埃尔·科林格 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：复合结构，包括：内芯杆，基本沿着所述半导体器件的沟道方向延伸；以及外部套管层，设置在所述内芯杆上，其中，所述内芯杆机械支撑所述半导体器件的沟道长度上的所述外部套管层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||