发明名称 基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构
摘要 本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构,属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构,或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构,对该单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。本发明可根据所需要的器件的功能设计石墨烯图形以实现特定的能带结构。本发明进一步提供了二极管器件组成的基本的逻辑门进而可以形成整个逻辑电路。
申请公布号 CN102709332B 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201210153652.X 申请日期 2012.05.17
申请人 北京大学 发明人 叶天扬;魏子钧;任黎明;赵华波;傅云义;黄如;张兴
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H03K19/08(2006.01)I 主分类号 H01L29/861(2006.01)I
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人 贾晓玲
主权项 一种二极管结构,其特征在于,为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构,其中单层石墨烯纳米结构的宽的一端禁带宽度为零,类似金属;单层石墨烯纳米结构的窄的一端禁带宽度不为零,类似半导体;将单层石墨烯纳米结构宽的一端进行n型或p型掺杂;或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构,其中宽的单层石墨烯纳米结构的禁带宽度为零,类似金属;窄的单层石墨烯纳米结构的禁带宽度不为零,类似半导体;将宽的单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。
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