半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法

摘要

本发明提供一种半导体硅片的去胶工艺腔，工艺腔内部的下端具有升降平台，工艺腔内部的上端固定有一护罩，护罩和升降平台可构成封闭式结构，升降平台上方用于固定一硅片，护罩内具有等离子体发生装置，工艺腔内部还具有一活动盖板，活动盖板可置于升降平台的上方，所述活动盖板能够遮挡所述硅片，活动盖板上具有一个或多个进口。本发明还提供一种半导体硅片的去胶方法。本发明提供的半导体硅片的去胶工艺腔以及去胶方法，通过工艺腔内的升降平台、护罩以及活动盖板，将对硅片进行的等离子体灰化工艺和湿法清洗工艺设置在工艺腔内的不同空间，使等离子体灰化工艺不会受到湿法清洗工艺残余水气的影响。

主权项

一种半导体硅片的去胶工艺腔，其特征在于，所述工艺腔内部的下端具有升降平台，所述工艺腔内部的上端固定有一护罩，所述护罩和所述升降平台可构成封闭式结构，所述升降平台上方用于固定一硅片，所述护罩内具有等离子体发生装置，所述工艺腔内部还具有一活动盖板，所述活动盖板可置于所述升降平台的上方，所述活动盖板能够遮挡所述硅片，所述活动盖板上具有一个或多个进口。