多晶硅刻蚀方法

摘要

本发明公开的一种多晶硅刻蚀方法，通过采用高频率、低压力、零偏压的具有各向同性刻蚀能力的含HBr的等离子体对光刻胶图形化后形成的光阻和刻蚀后剩余的BARC层进行处理，以使得上述光阻和剩余的BARC层的边缘变得光滑，然后采用上述含HBr等离子体处理后的剩余的光阻和BARC层为掩膜刻蚀硬质掩膜层和多晶硅层至所述半导体衬底的上表面，从而解决了多晶硅线条边缘粗糙的情况，同时，经过处理过的光刻胶表面吸收HBr和Cl₂等离子体，性质发生变化，抗刻蚀性提高，对硬质掩膜的选择比得到提高，从而减少了光刻胶层的沉积厚度，进而减少了淀积光刻胶的时间和原料，即降低了生产成本，提高了生产效率，又节约了资源。

主权项

一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；按照从下至上的顺序依次形成多晶硅层、BARC层以及光刻胶层覆盖所述半导体衬底的上表面后，图形化所述光刻胶层形成具有栅极图形的光阻，并以该光阻为掩膜对所述BARC层进行刻蚀；继续采用具有各向同性刻蚀能力的含HBr的等离子体对所述光阻和剩余的所述BARC层进行处理，以使得所述光阻和剩余的所述BARC层的边缘变得光滑；采用等离子体处理后剩余的光阻和BARC层为掩膜刻蚀所述多晶硅层至所述半导体衬底的上表面。