TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成间隔设置的第一遮光层(21)与第二遮光层(22)，在所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)与基板(10)上形成缓冲层(30)；步骤2、在所述缓冲层(30)上形成分别对应于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)的第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)，分别对所述第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)进行离子掺杂，在所述多晶硅层(40)上形成位于两侧的第一重掺杂区(41)、位于中间的第一沟道区(42)、及位于所述第一重掺杂区(41)与第一沟道区(42)之间的第一轻掺杂区(43)，在所述第二多晶硅层(90)上形成位于两侧的第二重掺杂区(91)、及位于中间的第二沟道区(92)；步骤3、在所述第一多晶硅层(40)、第二多晶硅层(90)、及缓冲层(30)上沉积栅极绝缘层(51)，在所述栅极绝缘层(51)上形成分别对应于第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)的第一栅极(52)与第二栅极(93)；步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层(51)表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层(51)表面的附着力；步骤5、在栅极绝缘层(51)及第一栅极(52)、第二栅极(93)上沉积层间介电层(53)，然后通过高温制程对所述层间介电层(53)进行氢化和活化；步骤6、对所述层间介电层(53)及栅极绝缘层(51)进行图案化处理，得到位于所述第一重掺杂区(41)上方的第一过孔(55)及位于所述第二重掺杂区(91)上方的第二过孔(95)，之后在所述层间介电层(53)上形成第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)，所述第一源极(61)与第一漏极(62)分别通过第一过孔(55)与第一重掺杂区(41)相接触，所述第二源极(96)与第二漏极(97)分别通过第二过孔(95)与第二重掺杂区(91)相接触；步骤7、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)、及层间介电层(53)上制作平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，得到位于所述第一漏极(62)上方的第三过孔(71)，在所述平坦层(70)上依次制作公共电极(80)与钝化层(81)，所述钝化层(81)包覆所述平坦层(70)上的第三过孔(71)，之后在覆盖所述第三过孔(71)底部的钝化层(81)上钻孔，使得所述第一漏极(62)暴露出来，在所述钝化层(81)上形成像素电极(82)，所述像素电极(82)通过第三过孔(71)与第一漏极(62)相接触。