发明名称 |
一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺,通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极,并使电极部分被InSb薄膜覆盖,部分露出,打线时则在电极的裸露部分上进行打线,从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜,保证了磁敏器件的质量。 |
申请公布号 |
CN105470383A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201511028781.6 |
申请日期 |
2015.12.31 |
申请人 |
江苏森尼克电子科技有限公司 |
发明人 |
马可军;俞振中;郑律 |
分类号 |
H01L43/00(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/00(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
孙仿卫 |
主权项 |
一种具有预埋电极的磁敏器件,它包括由下至上依次设置的基底(1)、InSb薄膜(2),其特征在于:所述的具有预埋电极的磁敏器件还包括位于所述基底上表面的(1)至少两个电极(3),所述InSb薄膜(2)的一部分位于所述基底(1)上表面,所述InSb薄膜(2)的其他部分位于各所述电极(3)的上表面,并分别部分覆盖各电极(3)。 |
地址 |
215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心4栋253A室 |