| 发明名称 | 金属栅极结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种金属栅极结构及其制作方法，该制作方法包括：首先提供基底，且该基底上依序形成有高介电常数栅极介电层与底部阻障层。接下来于该基底上形成功函数金属层，最后对该功函数金属层同位进行热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102683397B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201110063912.X | 申请日期 | 2011.03.17 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨建伦;许启茂;吴俊元;郑子铭;邹世芳;林进富;黄信富;蔡旻錞 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种金属栅极结构的制作方法，包括：提供基底，且该基底上依序形成有高介电常数栅极介电层与底部阻障层；于该基底上形成功函数金属层；对该功函数金属层同位进行真空环境中的热处理；以及于该功函数金属层上再同位形成顶部阻障层，且该顶部阻障直接接触该功函数金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||