发明名称 |
氧化物薄膜晶体管及显示装置 |
摘要 |
本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管及显示装置,通过在所述氧化物薄膜晶体管中引入与IGZO有源层接触的IGZO接触层提升薄膜晶体管的开态电流,引入与IGZO有源层接触的IGZO绝缘层或者采用IGZO绝缘层作为栅极绝缘层和蚀刻阻挡层来减小薄膜晶体管的关态电流,来提升薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比,从而显著提高显示装置的显示效果。 |
申请公布号 |
CN103715268B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201310750079.5 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
李红敏;李小和;董职福;张晓洁;薛伟 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
李迪 |
主权项 |
一种氧化物薄膜晶体管,包括:基板;栅极,形成在所述基板上;栅极绝缘层,形成在所述栅极上;氧化物有源层,形成在所述栅极绝缘层上;蚀刻阻挡层,形成在所述氧化物有源层上,且所述蚀刻阻挡层上具有开口;源/漏电极,形成在所述蚀刻阻挡层上,所述源/漏电极通过接触层、并经由所述蚀刻阻挡层上的所述开口与所述氧化物有源层电连接;其中,所述接触层由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成,所述接触层与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同,所述接触层表现为导体特性,所述氧化物有源层表现为半导体特性;其中,所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层由所述相同成分的氧化物材料制成,所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层的氧化物材料与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同,所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层表现为绝缘介质特性。 |
地址 |
230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号 |