发明名称 |
直接在针尖表面共形覆盖石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种直接在针尖表面共形覆盖石墨烯的方法,是将洗净、干燥的针尖置PECVD真空腔室中,排尽腔室内空气,向腔室中填充保护气体,再将针尖加热至石墨烯生长温度,向腔室中通入碳源气体和起载流作用的保护气体,维持气压在石墨烯生长压强,设定射频功率至石墨烯生长功率,使石墨烯在针尖表面直接生长,待石墨烯生长结束后,关闭射频电源,停止向腔室中通入碳源气体,将针尖在保护气体和石墨烯生长压强下降温至室温,取出针尖,在针尖尖端及侧表面即覆盖有连续均匀的石墨烯薄膜;本发明方法操作简单,无需金属催化剂,无需复杂的石墨烯转移过程,制备温度低、周期短、成本低,适用于硅、钨等多种材质的针尖,可用于石墨烯覆盖针尖的批量化制备。 |
申请公布号 |
CN103924209B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201410181336.2 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
发明人 |
魏大鹏;杨俊;朱鹏;余崇圣;张永娜;姜浩;黄德萍;李占成;史浩飞;杜春雷 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人 |
赵荣之 |
主权项 |
直接在针尖表面共形覆盖石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1) 将针尖表面清洗干净并干燥;(2) 将步骤(1)清洗、干燥后的针尖置等离子体增强化学气相沉积系统的真空腔室中,排尽真空腔室内的空气,然后向真空腔室中填充保护气体;(3) 待步骤(2)填充氢气完成后,将针尖加热至石墨烯生长温度,向真空腔室中通入碳源气体和起载流作用的保护气体,维持气压在石墨烯生长压强,同时设定射频电源功率至石墨烯生长功率,使石墨烯在针尖表面直接生长;所述石墨烯生长温度为300‑600℃;石墨烯生长压强为1Pa‑10KPa;(4) 待步骤(3)石墨烯生长结束后,关闭射频电源,停止向真空腔室中通入碳源气体,将针尖在保护气体和石墨烯生长压强下降温至10‑30℃,取出针尖,在针尖的尖端及其侧表面即覆盖有连续均匀的石墨烯薄膜。 |
地址 |
400714 重庆市北碚区方正大道266号 |