发明名称 多路复用型显示驱动电路
摘要 本发明提供一种多路复用型显示驱动电路,适用于高解析度的采用RGBW四色像素结构的显示装置,其设置有多个驱动单元,每一驱动单元设置八个多路复用模块,每一多路复用模块均包括三个薄膜晶体管,该三个薄膜晶体管的栅极分别电性连接于第一分路控制信号(Demux1)、第二分路控制信号(Demux2)、和第三分路控制信号(Demux3),源极均电性连接同一数据信号,漏极以跳线方式分别电性连接一数据线,这样能够使得每一分路控制信号的脉冲周期等于扫描信号周期的1/3,从而在不改变扫描信号脉冲周期的情况下,增加数据信号的充电时间,提升子像素的充电率。
申请公布号 CN105469765A 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201610003066.5 申请日期 2016.01.04
申请人 武汉华星光电技术有限公司 发明人 林建宏
分类号 G09G3/36(2006.01)I 主分类号 G09G3/36(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种多路复用型显示驱动电路,其特征在于,包括:多个驱动单元,每一驱动单元均包括:二十四条相互平行并依次排列的竖直的数据线(D1‑D24)、至少两条相互平行并依次排列的水平的扫描线(Gn)、至少二行二十四列共四十八个呈阵列式排布的子像素(10)、以及八个多路复用模块(De1‑De8);每一子像素(10)电性连接于该子像素(10)所在行对应的扫描线和该子像素(10)所在列对应的数据线;每一多路复用模块均包括三个薄膜晶体管,该三个薄膜晶体管的栅极分别电性连接于第一分路控制信号(Demux1)、第二分路控制信号(Demux2)、和第三分路控制信号(Demux3),源极均电性连接同一数据信号,漏极分别电性连接一数据线;所述第一多路复用模块(De1)包括:第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第一数据信号(Data1),漏极电性连接于第一数据线(D1);第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第一数据信号(Data1),漏极电性连接于第四数据线(D4);以及第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第一数据信号(Data1),漏极电性连接于第六数据线(D6);第二多路复用模块(De2)包括:第四薄膜晶体管(T4),所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第二数据信号(Data2),漏极电性连接于第二数据线(D2);第五薄膜晶体管(T5),所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第二数据信号(Data2),漏极电性连接于第三数据线(D3);以及第六薄膜晶体管(T6),所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第二数据信号(Data2),漏极电性连接于第五数据线(D5);第三多路复用模块(De3)包括:第七薄膜晶体管(T7),所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第三数据信号(Data3),漏极电性连接于第七数据线(D7);第八薄膜晶体管(T8),所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第三数据信号(Data3),漏极电性连接于第九数据线(D9);以及第九薄膜晶体管(T9),所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第三数据信号(Data3),漏极电性连接于第十二数据线(D12);第四多路复用模块(De4)包括:第十薄膜晶体管(T10),所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第四数据信号(Data4),漏极电性连接于第八数据线(D8);第十一薄膜晶体管(T11),所述第十一薄膜晶体管(T11)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第四数据信号(Data4),漏极电性连接于第十数据线(D10);以及第十二薄膜晶体管(T12),所述第十二薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第四数据信号(Data4),漏极电性连接于第十一数据线(D11);第五多路复用模块(De5)包括:第十三薄膜晶体管(T13),所述第十三薄膜晶体管(T13)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第五数据信号(Data5),漏极电性连接于第十四数据线(D14);第十四薄膜晶体管(T14),所述第十四薄膜晶体管(T14)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第五数据信号(Data5),漏极电性连接于第十五数据线(D15);以及第十五薄膜晶体管(T15),所述第十五薄膜晶体管(T15)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第五数据信号(Data5),漏极电性连接于第十七数据线(D17);第六多路复用模块(De6)包括:第十六薄膜晶体管(T16),所述第十六薄膜晶体管(T16)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第六数据信号(Data6),漏极电性连接于第十三数据线(D13);第十七薄膜晶体管(T17),所述第十七薄膜晶体管(T17)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第六数据信号(Data6),漏极电性连接于第十六数据线(D16);以及第十八薄膜晶体管(T18),所述第十八薄膜晶体管(T18)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第六数据信号(Data6),漏极电性连接于第十八数据线(D18);第七多路复用模块(De7)包括:第十九薄膜晶体管(T19),所述第十九薄膜晶体管(T19)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第七数据信号(Data7),漏极电性连接于第二十数据线(D20);第二十薄膜晶体管(T20),所述第二十薄膜晶体管(T20)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第七数据信号(Data7),漏极电性连接于第二十二数据线(D22);以及第二十一薄膜晶体管(T21),所述第二十一薄膜晶体管(T21)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第七数据信号(Data7),漏极电性连接于第二十三数据线(D23);第八多路复用模块(De8)包括:第二十二薄膜晶体管(T22),所述第二十二薄膜晶体管(T22)的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1),源极电性连接于第八数据信号(Data8),漏极电性连接于第十九数据线(D19);第二十三薄膜晶体管(T23),所述第二十三薄膜晶体管(T23)的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2),源极电性连接于第八数据信号(Data8),漏极电性连接于第二十一数据线(D21);以及第二十四薄膜晶体管(T24),所述第二十四薄膜晶体管(T24)的栅极电性连接于第三分路控制信号(Demux3),源极电性连接于第八数据信号(Data8),漏极电性连接于第二十四数据线(D24);相邻两条数据信号的极性相反。
地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋