| 发明名称 | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳能电池，从正面至反面依次包括正面电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、P型硅基体、复合钝化层、背面非烧穿型铝层和烧穿型局域铝层，其中所述复合钝化层为SiNx，SiOx或TiOx，所述磷扩散层方阻阻值为20-150ohm/sq。 | ||
| 申请公布号 | CN105470316A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201510915597.7 | 申请日期 | 2015.12.09 |
| 申请人 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 发明人 | 孙海平;刘仁中;王海超;张斌 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池，其特征在于：从正面至反面依次包括正面电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、P型硅基体、复合钝化层、背面非烧穿型铝层和烧穿型局域铝层，其中所述复合钝化层为AlOx&SiNx， AlOx&SiOx，SiOx &SiNx或AlOx&TiOx，所述磷扩散层方阻阻值为20‑150ohm/sq。 | ||
| 地址 | 安徽省合肥市新站综合开发实验区大禹路1288号 | ||