金属酸化物ＴＦＴの安定性向上

摘要

水素の低減されたケイ素含有層を組み込んだ金属酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法が、本明細書に開示される。薄膜トランジスタは、基板と、金属酸化物半導体層と、実質的に水素フリーのチャネルインタフェース層と、チャネルインタフェース層の上に形成されたケイ素を含むキャップ層を含むことができる。薄膜トランジスタの製造方法は、基板の上に金属酸化物半導体層を堆積させる工程と、ＳｉＦ４を含む堆積ガスを活性化して、活性化された堆積ガスを生成する工程と、ＳｉＯＦを含むチャネルインタフェース層を堆積させるために基板に活性化された堆積ガスを送る工程と、チャネルインタフェース層及び金属酸化物薄膜トランジスタ層の上にキャップ層を堆積させる工程を含むことができる。