发明名称 |
オプトエレクトロニクス部品及びオプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
摘要 |
本発明はオプトエレクトロニクス部品に関する。オプトエレクトロニクス部品は、支持体(10)と、1次電磁放射を放出するように構成されて支持体上に配置され、かつ、支持体とは反対側に主放射面(21)を有する半導体積層体(20)と、少なくとも半導体積層体の主放射面に直接に設けられている接続層(30)と、2次電磁放射を放出するように構成されて接続層上に直接に配置され、かつ、予成形体として成形された変換素子(40)とを含む。接続層は、少なくとも1つの無機充填物質(31)を、マトリクス材料(32)に埋め込んだ状態で含んでおり、かつ、2μm以下の層厚さで形成されている。予成形体は、接続層により半導体積層体に固定されている。接続層は、1次電磁放射の短波長成分をフィルタリングによって除去するように構成されている。 |
申请公布号 |
JP2016510178(A) |
申请公布日期 |
2016.04.04 |
申请号 |
JP20150562021 |
申请日期 |
2014.03.04 |
申请人 |
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH |
发明人 |
キャシー シュミットケ;イオーン シュトル;トニー アルブレヒト;マークス クライン |
分类号 |
H01L33/50;H01L33/58 |
主分类号 |
H01L33/50 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|