半導体グレード材料またはソーラーグレード材料の融液の制御されたドーピングのための気体ドーピングシステム

摘要

インゴットを製造するための結晶引き上げ装置が提供される。本装置は、炉と気体ドーピングシステムとを含む。炉は融液を保持するための坩堝を含む。気体ドーピングシステムは、供給管と、蒸発容器と、流量制限装置とを含む。供給管は炉内に位置付けられ、少なくとも１つの供給管側壁と、供給管内に導入される固体ドーパントが通過する第１の端部と、炉内に導入される気体ドーパントが通過する、第１の端部と反対側の開口部と、を含む。蒸発容器は、内部でドーパントを蒸発させるように構成され、供給管の開口部近傍に配置される。流量制限装置は、流量制限装置を通過して固体ドーパントが移動することを可能にし、且つ流量制限装置を通過する気体ドーパントの流れを制限するように構成され、供給管内で、第１の端部と蒸発容器との間に配置される。