| 摘要 |
적은 횟수로 균일한 후막의 광전기 셀용 다공질 금속산화물 반도체막을 형성할 수 있는 광전기 셀용 다공질 금속산화물 반도체막 형성용 도료를 제공한다. 평균 입자 지름이 0.5∼10 ㎛의 범위에 있으며, 세공 용적이 0.1∼0.8 ㎖/g의 범위에 있는 다공질 산화 티탄 미립자 집합체와 평균 입자 지름이 5∼400 ㎚의 범위에 있는 비집합체 산화 티탄 미립자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전기 셀용 다공질 금속산화물 반도체막 형성용 도료이다. 상기 다공질 산화 티탄 미립자 집합체가, (1) 평균 입자 지름이 5∼400 ㎚의 범위에 있는 입상 산화 티탄 미립자, (2) 평균 폭(W)이 5∼40 ㎚의 범위에 있으며, 평균 길이(L)가 25∼1000 ㎚의 범위에 있으며, 아스펙트비(W)/(L)가 5∼200의 범위에 있는 섬유상 산화 티탄 미립자, 및 (3) 평균 관 외경(D)이 5∼40 ㎚의 범위에 있으며, 평균 길이(L)가 25∼1000 ㎚의 범위에 있으며, 아스펙트비(L)/(D)가 5∼200의 범위에 있는 관상 산화 티탄 입자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 집합체이다. |
