发明名称 成膜装置及成膜基板制造方法
摘要 明提供一种小型且省空间的成膜装置及成膜基板制造方法,无论工件的形状如何,均能够高速且高效率地以均匀的厚度成膜。本发明的成膜装置包括:腔室,被导入溅射气体;搬送部,设置在腔室内,且具有循环搬送工件的搬送路径;靶,由堆积在工件上而成为膜的成膜材料形成,且设置在与搬送路径隔开并对向的位置;第一电源部,通过对靶施加电力,而使溅射气体电浆化,且使成膜材料堆积在工件上;以及电源控制部,在工件利用搬送部而通过供成膜材料堆积的区域即成膜区域期间,根据工件相对于靶的位置的变化,使第一电源部对靶施加的电力变化。
申请公布号 TW201612346 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW104131974 申请日期 2015.09.30
申请人 芝浦机械电子装置股份有限公司 发明人 川又由雄
分类号 C23C14/34(2006.01);H01J37/34(2006.01);C23C14/54(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗;郑婷文;詹富闵
主权项 一种成膜装置,使溅射气体电浆化,且使成膜材料堆积在工件上,其特征在于包括: 腔室,被导入溅射气体; 搬送部,设置在所述腔室内,循环搬送工件; 溅射源,由堆积在所述工件而成为膜的所述成膜材料形成,且具有靶,所述靶设置在与利用所述搬送部使所述工件移动的路径对向的位置; 电源部,对所述靶施加电力;以及 电源控制部,在所述工件通过作为供所述成膜材料堆积的区域的成膜区域期间,根据所述工件相对于所述靶的间隔、方向或从平面方向观察到的重叠面积的变化,使所述电源部对所述靶施加的电力变化。
地址 日本