SOC III-N GROUP III-N TRANSISTORS FOR SYSTEM ON CHIPSOC ARCHITECTURE INTEGRATING POWER MANAGEMENT AND RADIO FREQUENCY CIRCUITS

摘要

고 F와 또한 고전압 및/또는 고전력 회로를구현하기에 충분히 높은 항복 전압(BV)을 달성할 수 있는 III족-질화물(III-N)에 기반한 트랜지스터 기술을 이용하여 RFIC를 PMIC와 집적한 시스템 온 칩(SoC)이 개시된다. 실시예에서, 상기 III-N 트랜지스터 구조는 많은 연속하는 디바이스 생성에 걸쳐 성능 향상의 궤도를 유지하도록 스케일링에 대해 수정가능하다. 실시예에서, 상기 III-N 트랜지스터 구조는 평면 및 비평면 실리콘 CMOS 트랜지스터 기술과 같은 IV족 트랜지스터 구조와의 모놀리식(monolithic) 집적에 대해 수정가능하다. 리세스된 게이트, 대칭적인 소스 및 드레인, 재성장된 소스/드레인 중 하나 이상을 갖는 평면 및 비평면 HEMT 실시예는 인핸스먼트 모드 동작 및 양호한 게이트 패시베이션을 허용하는 교체 게이트 기술로 형성된다.