| 发明名称 | 电阻式随机存取记忆体 | ||
| 摘要 | 电阻式随机存取记忆体，包括上电极、下电极以及介于上、下电极之间的转变金属氧化物层。上述电阻式随机存取记忆体还包括位于上电极上方的金属盖层以及位在所述金属盖层与上电极之间的透明导电氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | TW201613150 | 申请公布日期 | 2016.04.01 |
| 申请号 | TW103132461 | 申请日期 | 2014.09.19 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 张硕哲 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01);H01B5/14(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 叶璟宗;詹东颖;刘亚君 | |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取记忆体，包括上电极、下电极以及介于该上电极与该上电极之间的转变金属氧化物层，所述电阻式随机存取记忆体更包括：金属盖层，位于该上电极上方；以及第一透明导电氧化物层，位在该金属盖层与该上电极之间。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||