半导体装置的制造方法

摘要

明的目的之一是提供一种具有微细形状的电晶体。本发明的目的之一是提供一种通道长度小的电晶体。本发明的一个实施方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成半导体；在半导体上形成第一导电体；在第一导电体上形成第一绝缘体；在第一绝缘体上形成光阻剂；对光阻剂进行曝光及显影，以使光阻剂的第二区域及第三区域残留并使第一绝缘体的一部分露出；施加垂直于基板的顶面的方向的偏压并使用包含碳及卤素的气体生成电浆；使用电浆使有机物沉积并对其进行蚀刻。在第一绝缘体的露出部中，有机物的蚀刻速度比沉积速度快，而在第二区域的侧面，有机物的沉积速度比蚀刻速度快。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成半导体；在该半导体上形成第一导电体；在该第一导电体上形成第一绝缘体；在该第一绝缘体上形成光阻剂；对该光阻剂进行曝光及显影，以使该光阻剂的第一区域及第二区域残留并使该第一绝缘体的一部分露出；施加垂直于该基板的顶面的方向的偏压并使用包含碳及卤素的气体生成电浆；使用该电浆使有机物沉积并对其进行蚀刻；以该有机物、该第一区域及该第二区域为遮罩对该第一绝缘体进行蚀刻来形成第二绝缘体及第三绝缘体，并使该第一导电体露出；以该第二绝缘体及该第三绝缘体为遮罩对该第一导电体进行蚀刻来形成第二导电体及第三导电体，并使该半导体露出；去除该有机物、该第一区域及该第二区域；在该半导体的露出部上形成第四绝缘体；以及在该第四绝缘体上形成第四导电体，其中，在该第一绝缘体的该部分中，该有机物的蚀刻速度比该有机物的沉积速度快，并且，在该第一区域的侧面，该有机物的该沉积速度比该有机物的该蚀刻速度快。